但是，中兴政策三端结构的晶体管丧失了两端忆阻器优良的两端交叉结构，不利于高密度集成。

然而，破解从实验上了解通道中缺陷对传输的影响仍具有挑战性。美国图4双层石墨烯模型中阳离子插层石墨烯纳米通道的水亲和模拟研究©2022TheAuthors（a）第一性原理分子动力学模拟中初始状态(0ps)的模拟单元示意图。

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合作对摩擦的影响会随着水分子和缺陷之间氢键的数量而增加。然而，救国缺陷和杂质对传输影响的在实验上尚未有足够的探索。

通过插入不同水合直径的阳离子来控制水分子对纳米通道壁的亲和性，中兴政策为理解石墨烯基纳米通道中水传输的摩擦提供了一个独特的平台。

破解图2阳离子插层的GOMs中的水运输©2022TheAuthors（a）阳离子插层GOMs的水通量随阳离子水合直径的变化规律。本内容为作者独立观点，美国不代表材料人网立场。

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